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本发明公开了可解释的数据驱动半导体硅单晶生长直径预测方法，首先对实验数据进行预处理，通过计算最大互信息系数MIC获取与晶体直径变量相关的辅助特征变量；然后估计辅助特征变量与晶体直径间的时延阶次，并进行数据序列的时序对齐；基于时间卷积网络TC...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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