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本发明公开了技术领域内的一种亚波长多层纳米锥二维阵列截止吸收器，其特征在于，包括生长在二氧化硅衬底上的四棱柱，所述四棱柱包括三层结构，底层为硫化锌柱，中层为磷化铟柱，顶层为硫化锌柱，所述四棱柱的顶部生长有四棱锥，所述四棱锥选用材料金，形成装...
该专利属于扬州大学所有，仅供学习研究参考，未经过扬州大学授权不得商用。

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