温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种具有高发光效率的LED外延结构及其制备方法，所述具有高发光效率的LED外延结构包括。包括衬底，于所述衬底上依次层叠设置的缓冲层，未掺杂的GaN层，n型掺杂GaN层，多量子阱层，电子阻挡层，p型掺杂G...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。