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本发明公开了一种单晶厚膜异质外延生长的方法，属于铁氧体单晶膜材料生长技术，所述方法为：首先在不低于500℃的温度下对衬底进行气态离子注入，然后使用液相外延法生长；本发明提供了一种新的衬底处理方式，在液相外延的过程中可以有效改善因单晶膜与衬底...该专利属于西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）所有，仅供学习研究参考，未经过西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）授权不得商用。