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本发明公开低噪声非线性校准工艺设计与镜像孪生集成电容器制造方法，方法步骤为：1)模拟集成电路的P型阱上方生长场氧化层；2)在N阱上方的场氧化层上淀积多晶电容器下极板多晶膜层并实施匹配注入掺杂；3)电容器介质层生长；4)淀积多晶电容器上极板多...
该专利属于重庆中科渝芯电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆中科渝芯电子有限公司授权不得商用。

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