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本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种低介电氮化硅薄膜及其制备方法和应用。所述低介电氮化硅薄膜的制备方法包括以下步骤：S1.将有机氨基硅烷前驱体通入反应室，通过原子层沉积在衬底表面得到第一反应物；S2.在反应室中通入助剂与第一反应物接触...
该专利属于大连恒坤新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大连恒坤新材料有限公司授权不得商用。

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