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一种短路耐量增强的SiC沟槽分裂栅MOSFET器件，包括漏极金属层，所述漏极金属层上方依次设置碳化硅N+衬底和碳化硅N‑外延层，在碳化硅N‑外延层上方为第一Pbase区，第一Pbase区外延得到第二Pbase区，所述第一Pbase区设置第二...该专利属于中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）所有，仅供学习研究参考，未经过中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）授权不得商用。