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本发明公开了纳米线过渡金属氧化物材料合成方法，本发明涉及纳米材料的合成技术领域。所述过渡金属氧化物为纳米线形貌，其包括V<subgt;2</subgt;O<subgt;5</subgt;纳米线、MoO<subg...
该专利属于黑龙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过黑龙江大学授权不得商用。

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