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本发明公开了一种增强型GaN HEMT器件的制备方法，包括在衬底层表面依次生长缓冲层、沟道层、势垒层以及p‑GaN帽层，得到外延结构，沟道层与势垒层形成异质结，沟道层与势垒层形成异质结的界面形成二维电子气作为导电沟道；对部分p‑GaN帽层进...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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