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本发明公开了一种敏感元件及传感器结构,涉及电子检测设备技术领域,包括枪体,所述枪体的内部固定连接有第一高磁导率磁芯,所述枪体的一端镶嵌有第三高磁导率磁芯,该敏感元件及传感器结构,通过设置有第三擦拭布、第二擦拭布与第一擦拭布,可以对第四高磁导...该专利属于深焓冰谷技术(武汉)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深焓冰谷技术(武汉)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种敏感元件及传感器结构,涉及电子检测设备技术领域,包括枪体,所述枪体的内部固定连接有第一高磁导率磁芯,所述枪体的一端镶嵌有第三高磁导率磁芯,该敏感元件及传感器结构,通过设置有第三擦拭布、第二擦拭布与第一擦拭布,可以对第四高磁导...