温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种快速生长大尺寸高质量立方碳化硅单晶的装置及方法，属于晶体生长技术领域，该装置包括坩埚组件、籽晶组件以及设置在坩埚组件外侧的加热组件和位于加热组件和坩埚组件之间的保温组件；坩埚组件包括坩埚和设置在坩埚下方用于推动和旋转坩埚的推...
该专利属于北京晶格领域半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京晶格领域半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。