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本发明公开了一种GaN基HEMT中低阻值欧姆接触电极的制备方法，包括：在氮化镓(GaN)异质结外延材料上光刻出源电极和漏电极欧姆区域；淀积镍金属薄层；进行退火，形成镍金属小球；以镍金属小球为掩膜，采用干法刻蚀至二维电子气沟道以下，形成纳米凹...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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