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本发明涉及半导体技术领域，公开了碳化硅基集成半导体器件及其制备方法。碳化硅基集成半导体器件包括：衬底层、外延层、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、栅氧化层、栅极、势垒金属层、发射极和集电极，势垒金属层设置在外延层背离衬底层的一侧表面，势垒...
该专利属于苏州德信芯片科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州德信芯片科技有限公司授权不得商用。

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