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本发明公开了一种二维接触Bi<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;Se半导体薄膜晶体管及其制造方法。该晶体管从下至上，依次包括：衬底、Bi<subgt;2</subgt;O&l...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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