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本发明提供了一种基于激光退火的半导体欧姆接触加工系统及方法，该加工方法是对半导体样品表面激光退火处理时，采用大尺寸平顶光作为退火光源发射到半导体样品表面，并对半导体样品表面进行单方向吹气，其吹气方向与半导体样品的步进方向相同。该发明采用大尺...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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