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本发明为一种双通带低频通带独立可开关频率选择表面，该频率选择表面表面由三层结构组成，上下两层为双通带金属层，在每层中间缝隙处放置了4个p‑i‑n二极管，中间层为十字金属结构，层之间为介质基板；一条金属柱穿过中心条带层连接上下层，将中间层和上...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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