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本发明公开了一种增强型SiC衬底GaN双向阻断器件及其制备方法，该器件中MOSFET和HEMT共享AlN缓冲层，AlN缓冲层叠加于SiC衬底之上。MOSFET和HEMT之间设有隔离槽，隔离槽深入至AlN缓冲层的上部，MOSFET的源电极和H...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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