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本发明公开了一种多晶硅氢化炉用炭／炭发热体的制备方法，采用针刺平纹炭布准三向结构预制体；通过化学气相渗透致密预制体，反复致密处理数次；到密度≥１．３０ｇ／ｃｍ↑［３］时致密工艺结束，高温处理后进行机械加工，之后对其表面进行ＣＶＤ涂层即可制得...
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