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本申请提供一种半导体器件及制备方法。本申请提供的半导体器件，包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的PMOS结构、第二衬底、形成于所述第二衬底上的NMOS结构、以及位于所述PMOS结构和所述NMOS结构之间的电介质；其中，所述PMOS结构和/或...
该专利属于西湖大学所有，仅供学习研究参考，未经过西湖大学授权不得商用。

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