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本发明提供一种降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，提供衬底，将衬底置于增强型等离子体化学气相淀积的反应腔体中，利用增强型等离子体化学气相淀积的方法在衬底上形成PECVD薄膜；在反应腔体中通入O2和He，利用射频源将O2和He电离为等离子体...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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