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一种Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料及制备方法技术
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文档序号:43390307
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一种Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料及制备方法,属于铁氧体材料制备技术领域。所述复合铁氧体材料包括NiZn和BaM铁氧体材料;NiZn铁氧体材料包括40~60 mol%NiO、1~5 mol%CuO、1~5 mol%ZnO、40~50 m...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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