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本发明涉及一种具有电子减速作用的VCSEL器件及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。沿外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、底部氮化物DBR、电子减速层、多量子阱层、P‑EBL、P‑型半导体材料层、电流限制层、电流扩展层；电子减速层由三层材料...
该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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