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本发明涉及压电超声传感器技术领域，尤其涉及一种用于压电超声传感器的ZnO压电薄膜的制备方法。所述方法是以单晶硅或GH2132合金为基底，采用磁控溅射方法在基底表面沉积绝缘层，然后在沉积绝缘层表面沉积ZnO压电薄膜，对ZnO压电薄膜进行退火处...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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