温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种具有高电磁屏蔽效能的多孔镁合金及制备方法，属于多孔金属材料技术应用领域。通过优化调整Mg‑Ag‑Sn系合金各元素含量：Ag含量为1％‑15wt％，Sn含量为0.5％‑5wt％，其余为Mg。实现多孔镁合金凝固过程中凝固模式的改变...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。