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本发明公开了分裂高K金属栅超结碳化硅沟槽MOSFET及制备方法，包括半导体漏区、半导体N型漂移区、半导体P型漂移区、P型阱区、半导体N型源区、半导体P型源区和分裂高K金属栅结构；分裂高K金属栅结构包括深槽高K介质区、分裂栅金属和栅极金属；分...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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