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本发明提供一种二元阈值转变选通器及其制备方法和相变存储器,所述二元阈值转变选通器自下而上依次包括下电极层、下降压功能层、阈值转变开关材料层、上降压功能层和上电极层;所述下降压功能层和所述上降压功能层的材料独立地包括Ge、Te或In中的任意一...该专利属于爱发科(苏州)技术研究开发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱发科(苏州)技术研究开发有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种二元阈值转变选通器及其制备方法和相变存储器,所述二元阈值转变选通器自下而上依次包括下电极层、下降压功能层、阈值转变开关材料层、上降压功能层和上电极层;所述下降压功能层和所述上降压功能层的材料独立地包括Ge、Te或In中的任意一...