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发明名称一种基于六角氮化硼二维薄膜的4H‑SiC肖特基辐射探测器及其制备方法摘要本发明提供一种基于六角氮化硼薄膜的4H‑SiC肖特基辐射探测器，可通过六角氮化硼薄膜优化接触界面，进而提高载流子分离输运，提高探测器的器件性能。该射探测器衬底层...
该专利属于北京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京邮电大学授权不得商用。

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