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本发明公开了一种压电陶瓷及制备方法，旨在提供一种高压电常数、低强场介电损耗压电陶瓷及其制备方法。本发明压电陶瓷结构通式为：Pb(Zr<subgt;z</subgt;Ti<subgt;1‑z</subgt;)<s...
该专利属于贵州振华红云电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过贵州振华红云电子有限公司授权不得商用。

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