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本发明涉及一种抗浪涌二极管器件结构，属于半导体技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底、外延层和介质层，所述外延层中设有两个纵向PN结二极管，每个纵向PN结二极管均包括在外延层中由上到下依次相连二极管一区和二极管二区，每个二极管一区上端分别与...
该专利属于华东光电集成器件研究所所有，仅供学习研究参考，未经过华东光电集成器件研究所授权不得商用。

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