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本发明公开了一种锡掺杂的高功率密度银锑碲热电材料，其特征在于，以AgSbTe<subgt;2</subgt;为基体，通过空穴掺杂Sn来修饰AgSbTe<subgt;2</subgt;材料，在其价带顶部引入杂质带，所得...
该专利属于浙江大学温州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学温州研究院授权不得商用。

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