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一种石墨上氮极性GaN基长波长LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由衬底层、石墨烯层、氮极性GaN模板层、氮极性n‑GaN电子提供层、氮极性InGaN基量子阱有源区、氮极性p‑Al<subgt;x1</subg...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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