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本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述结构包括：第一晶圆，所述第一晶圆中形成有若干隔离结构，所述第一晶圆表面还形成有第一介质层，所述第一介质层中形成有金属层；第二晶圆，所述第二晶圆表面形成有第二介质层，所述第一晶圆和第二晶圆通过所述第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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