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本发明公开了一种ＴＦＴ性能测试装置及其制造方法和ＴＦＴ性能测试方法，其中ＴＦＴ性能测试装置包括设置在阵列基板空闲区域的至少一个测试ＴＦＴ，测试ＴＦＴ包括：第二栅电极，设置在基板上；第二栅绝缘层，形成在第二栅电极上；第二非晶硅层，形成在第二栅...
该专利属于北京京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京京东方光电科技有限公司授权不得商用。

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