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本发明属于光电半导体材料技术领域，公开了一种大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料，含有尺寸为5 nm~1500 nm且均匀分布的蠕状结构的孔；所述大尺寸多孔单晶氧化铁半导体材料在三维空间具有刚性的自支撑结构且无需模版支撑；所述大尺寸多孔单晶氧化铁...
该专利属于闽都创新实验室所有，仅供学习研究参考，未经过闽都创新实验室授权不得商用。

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