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本发明公开了一种界面电场可调的阻挡杂质带甚长波红外探测器外延方法，所述方法包括以下步骤：将衬底放入MBE腔体内，衬底温度设置为570～590℃，Ga源温度为650～670℃；同时打开硅电子束的挡板和镓源的挡板，进行吸收层的外延；生长吸收层后...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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