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本发明公开了一种纵向常关型GaN复合型JFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属的上方依次设置有n型SiC衬底、n型GaN、第一p型GaN、GaN沟道层、AlGaN势垒层、第二p型GaN、栅极金属、隔离介质以及...
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