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本申请公开了一种改善掺杂多晶硅机台中颗粒不良的方法，包括：S1：当炉管内的磷浓度大于预设有的浓度阈值时，使用氮气将所述炉管内的磷元素吹出；S2：将所述炉管中的温度设置到至少580℃，并在所述炉管内壁沉积形成非掺杂多晶硅层。本申请通过上述方案...该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。
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本申请公开了一种改善掺杂多晶硅机台中颗粒不良的方法，包括：S1：当炉管内的磷浓度大于预设有的浓度阈值时，使用氮气将所述炉管内的磷元素吹出；S2：将所述炉管中的温度设置到至少580℃，并在所述炉管内壁沉积形成非掺杂多晶硅层。本申请通过上述方案...