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本发明公开了一种金刚石/硅复合衬底及其制法、金刚石基硅芯片的制造方法。金刚石/硅复合衬底的制备方法包括：在硅片的第一表面生长形成碳化物层，碳化物层包括多个间隔排布的碳化物微结构；对碳化物层进行表面改性处理，以将碳化物层的表面官能团转化为羟基...
该专利属于化合积电（厦门）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过化合积电（厦门）半导体科技有限公司授权不得商用。

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