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CdIn2S4/ZnS异质结光阳极及其制备方法技术
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文档序号:43131010
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本发明公开了一种CdIn<subgt;2</subgt;S<subgt;4</subgt;/ZnS异质结光阳极及其制备方法。所述方法通过在导电玻璃基底上先采用水热法制备CdIn<subgt;2</subg...
该专利属于南京理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过南京理工大学授权不得商用。
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