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本发明提供了一种半导体器件性能退化的测试方法及系统，属于半导体领域。该半导体器件性能退化的测试方法包括采用不同的电压提升速率测量多组台阶电压数据，并对测量数据进行对数正太分布拟合，得到不同电压提升速率下某固定电压下的第一阈值电压偏移；基于所...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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