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提供制造第ＩＩＩ族氮化物半导体的方法，包括：通过蚀刻在生长衬底的表面中形成凹槽；通过溅射在生长衬底的形成凹槽的表面上形成缓冲膜；在包含氢和氨的气氛中将衬底加热至目标第ＩＩＩ族氮化物半导体生长温度；和在生长温度下在凹槽侧表面上外延生长第ＩＩＩ...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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