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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层、第二介质层、贯穿所述第一介质层的栅极层、隔断所述栅极层的栅极隔断层以及隔断所述栅极隔断层的第一金属层和延伸至栅极隔断层的第二金属层；牺...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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