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本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，外延片依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、有源层和P型GaN层；有源层依次包括第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一空穴注入增强层、...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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