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本发明提供一种电场调控低暗计数率锗硅光电探测器及其制备方法，用于解决现有的锗硅光电探测器难以满足器件室温工作的需求，以及暗电流、暗计数率过高等技术问题。该光电探测器主要采用双台面结构以及将P掺杂锗区、P掺杂硅区选区注入，通过将器件的核心工作...
该专利属于中国科学院西安光学精密机械研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院西安光学精密机械研究所授权不得商用。

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