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本发明公开了一种用于钕铁硼磁体的晶界扩散工艺，属于稀土磁材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：首先将不含重稀土元素和轻稀土元素的烧结钕铁硼磁体切割成10mm×10mm×3～10mm的磁体样品，再对其清洗和干燥，然后采用喷涂技术在表面分区涂...
该专利属于安徽万磁电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽万磁电子股份有限公司授权不得商用。

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