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本技术公开了一种半导体装置。半导体装置包括半导体衬底、堆叠结构和接触结构。半导体衬底包括隔离结构与隔离结构定义的有源结构,且有源结构包括至少一鳍状结构。堆叠结构设置在半导体衬底中,堆叠结构沿水平方向延伸跨过鳍状结构,且堆叠结构包括导电层、盖...该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。
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本技术公开了一种半导体装置。半导体装置包括半导体衬底、堆叠结构和接触结构。半导体衬底包括隔离结构与隔离结构定义的有源结构,且有源结构包括至少一鳍状结构。堆叠结构设置在半导体衬底中,堆叠结构沿水平方向延伸跨过鳍状结构,且堆叠结构包括导电层、盖...