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本发明涉及磁性存储器领域，特别是涉及一种STT‑MRAM的磁性隧道结及其制备方法，通过依次设置固定层及势垒层，得到MTJ前驱体；在所述MTJ前驱体的势垒层表面，沉积MTJ金属基底层；对所述MTJ金属基底层进行通氧氧化，得到界面调制层；在所述...
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