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一种ＭＯＳ晶体管及其制作方法，其中ＭＯＳ晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内的有源区包括ＭＯＳ晶体管的沟道区域；在半导体衬底的有源区内引入第一离子，形成隔离阱；在半导体衬底的有源区内引入第二离子，以调整待形成的ＭＯＳ晶体管的阈...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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