温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于硅晶圆异质外延的硅基薄膜晶体制备方法，包括：在硅衬底上制备底层绝缘体/中间层/顶层绝缘体的三层结构；刻蚀三层结构得到沟槽，并暴露底部的硅衬底，获得垂直选区外延区域；将沟槽底部的硅衬底表面刻蚀成V型槽，并将纳米脊外延区域侧...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。