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本发明公开了一种芯片上表面互连增强散热的单面碳化硅功率模块，包括高导热绝缘基板，碳化硅芯片的上表面通过高导热绝缘基板完成电气连接，在降低了电气寄生参数的同时，为单面散热的碳化硅功率模块提供了一条额外的散热路径，将芯片所产生的热量扩散至更大的...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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